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1.
Step dynamics and equilibrium structure of monoatomic steps on Si(100)-2 x 1.
Sánchez JR; Aldao CM.
Phys Rev B Condens Matter ; 54(16): R11058-R11061, 1996 Oct 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9984985
2.
Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice.
Iguain JL; Mártin HO; Aldao CM.
Phys Rev B Condens Matter ; 54(12): 8751-8755, 1996 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9984554
3.
Etching of Si(100)-2 x 1 with chlorine: Reaction pathways, energy anisotropies, and atomic-scale phenomena.
Chander M; Goetsch DA; Aldao CM; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 52(11): 8288-8294, 1995 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9979829
4.
Charge transfer, doping, and interface morphologies for Al-C60.
Owens DW; Aldao CM; Poirier DM; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 51(23): 17068-17072, 1995 Jun 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9978719
5.
Determination of dynamic parameters controlling atomic scale etching of Si(100)-(2 x 1) by chlorine.
Chander M; Goetsch DA; Aldao CM; Weaver JH.
Phys Rev Lett ; 74(11): 2014-2017, 1995 Mar 13.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10057820
6.
Surface photovoltages due to pulsed sources: Implications for photoemission spectroscopy.
Aldao CM; Valtueña JF; Izpura I; Muñoz E.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(23): 17729-17731, 1994 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9976202
7.
Effects of orbital nonorthogonality on band structure within the tight-binding scheme.
Mirabella DA; Aldao CM; Deza RR.
Phys Rev B Condens Matter ; 50(16): 12152-12155, 1994 Oct 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9975357
8.
Effects of growth temperature on atom distributions, Fermi-level positions, and valence-band offsets for Ge/n-type InP(110) heterojunctions.
Aldao CM; Vitomirov IM; Waddill GD; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(17): 13952-13956, 1991 Jun 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9997262
9.
Interface formation with ions and neutral atoms.
Aldao CM; Aastuen DJ; Vos M; Vitomirov IM; Waddill GD; Benning PJ; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(5): 2878-2885, 1990 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9995777
10.
Metal-InP(110) interface properties: Temperature, dopant-concentration, and cluster-deposition dependencies.
Vitomirov IM; Aldao CM; Waddill GD; Capasso C; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(12): 8465-8476, 1990 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9993172
11.
Abrupt interfaces with novel structural and electronic properties: Metal-cluster deposition and metal-semiconductor junctions.
Waddill GD; Vitomirov IM; Aldao CM; Anderson SG; Capasso C; Weaver JH; Liliental-Weber Z.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(8): 5293-5305, 1990 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994392
12.
Thermally reversible band bending for Bi/GaAs(110): Photoemission and inverse-photoemission investigations.
Waddill GD; Aldao CM; Capasso C; Benning PJ; Hu Y; Wagener TJ; Jost MB; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(9): 5960-5968, 1990 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994480
13.
Photovoltaic effects in temperature-dependent Fermi-level movement for GaAs(110).
Aldao CM; Waddill GD; Benning PJ; Capasso C; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(9): 6092-6095, 1990 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994501
14.
Dynamic-coupling model: Interpretation of temperature-, dopant-concentration-, and coverage-dependent Schottky-barrier formation.
Aldao CM; Vitomirov IM; Waddill GD; Anderson SG; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(5): 2800-2812, 1990 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994047
15.
Deposition of Ag ions and neutral atoms on ZnSe(100): Influence of interface morphology on Schottky-barrier formation.
Vos M; Aldao CM; Aastuen DJ; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 41(2): 991-994, 1990 Jan 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9993794
16.
Development of rare-earth-semiconductor interfaces: Ce/InP(110), Sm/InSb(110), and Ce/CdTe(110).
Trafas BM; Aldao CM; Capasso C; Shapira Y; Boscherini F; Vitomirov IM; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(14): 9811-9817, 1989 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9991503
17.
Temperature-dependent Al/GaAs(110) interface formation and adatom energy references.
Anderson SG; Aldao CM; Waddill GD; Vitomirov IM; Severtson SJ; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(12): 8305-8312, 1989 Oct 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9991288
18.
Temperature effects for Ti/GaAs(110) interface formation involving cluster and atom deposition.
Aldao CM; Waddill GD; Anderson SG; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(5): 2932-2939, 1989 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9992223
19.
Reversible temperature-dependent Fermi-level movement for metal-GaAs(110) interfaces.
Vitomirov IM; Waddill GD; Aldao CM; Anderson SG; Capasso C; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(5): 3483-3486, 1989 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9992315
20.
Disruption, atom distributions, and energy levels for Ge/GaAs(110), Ge/InP(110), and Ge/InSb(110) heterojunctions.
Aldao CM; Vitomirov IM; Xu F; Weaver JH.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(6): 3711-3719, 1989 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9992341
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