Effects of growth temperature on atom distributions, Fermi-level positions, and valence-band offsets for Ge/n-type InP(110) heterojunctions.
Phys Rev B Condens Matter
; 43(17): 13952-13956, 1991 Jun 15.
Article
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| ID: mdl-9997262
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Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Phys Rev B Condens Matter
Año:
1991
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos