Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice. | Phys Rev B Condens Matter;54(12): 8751-8755, 1996 Sep 15. | MEDLINE

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Model for diffusion and growth of silicon on Si(100) with inequivalent sites in a square lattice.

Iguain JL; Mártin HO; Aldao CM.

Phys Rev B Condens Matter ; 54(12): 8751-8755, 1996 Sep 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9984554

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1996 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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