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1.
Silicon-hydrogen bonding and hydrogen diffusion in amorphous silicon.
Van de Walle CG; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 51(16): 10615-10618, 1995 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9977757
2.
Structure, energetics, and dissociation of Si-H bonds at dangling bonds in silicon.
Van de Walle CG; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 49(20): 14766-14769, 1994 May 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10010574
3.
Nonequilibrium occupancy of tail states and defects in a-Si:H: Implications for defect structure.
Schumm G; Jackson WB; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 48(19): 14198-14207, 1993 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10007834
4.
Hydrogen migration and electronic carriers in a-Si:H.
Santos PV; Johnson NM; Street RA; Hack M; Thompson R; Tsai CC.
Phys Rev B Condens Matter ; 47(16): 10244-10260, 1993 Apr 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10005133
5.
High-electric-field transport in a-Si:H. I. Transient photoconductivity.
Nebel CE; Street RA; Johnson NM; Kocka J.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6789-6802, 1992 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10002381
6.
High-electric-field transport in a-Si:H. II. Dark conductivity.
Nebel CE; Street RA; Johnson NM; Tsai CC.
Phys Rev B Condens Matter ; 46(11): 6803-6814, 1992 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10002382
7.
Bonding of hydrogen to weak Si-Si bonds.
Tarnow E; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 45(7): 3366-3371, 1992 Feb 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001910
8.
Intensity and temperature dependence of the steady-state light-induced defect density in a-Si:H.
Santos PV; Jackson WB; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(23): 12800-12805, 1991 Dec 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9999456
9.
Model for growth of a-Si:H and its alloys.
Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(19): 10610-10616, 1991 Nov 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9999086
10.
Light-enhanced hydrogen motion in a-Si:H.
Santos PV; Johnson NM; Street RA.
Phys Rev Lett ; 67(19): 2686-2689, 1991 Nov 04.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10044491
11.
Evidence for potential fluctuations in compensated amorphous silicon.
Howard JA; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 44(15): 7935-7940, 1991 Oct 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9998724
12.
Hydrogen chemical potential and structure of a-Si:H.
Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 43(3): 2454-2457, 1991 Jan 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9997533
13.
Impurity incorporation and doping efficiency in a-Si:H.
Winer K; Street RA; Johnson NM; Walker J.
Phys Rev B Condens Matter ; 42(5): 3120-3128, 1990 Aug 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9995809
14.
Defect equilibria in undoped a-Si:H.
Street RA; Winer K.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(9): 6236-6249, 1989 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9992692
15.
Lattice relaxation of DX-like donors in ZnxCd1-xTe.
Khachaturyan K; Kaminska M; Weber ER; Becla P; Street RA.
Phys Rev B Condens Matter ; 40(9): 6304-6310, 1989 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9992701
16.
Chemical-equilibrium model of impurity incorporation in n-type a-Si:H.
Winer K; Street RA.
Phys Rev Lett ; 63(8): 880-883, 1989 Aug 21.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10041209
17.
Electron drift mobility in doped amorphous silicon.
Street RA; Kakalios J; Hack M.
Phys Rev B Condens Matter ; 38(8): 5603-5609, 1988 Sep 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9947001
18.
Mechanisms of thermal equilibration in doped amorphous silicon.
Street RA; Hack M; Jackson WB.
Phys Rev B Condens Matter ; 37(8): 4209-4224, 1988 Mar 15.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9945059
19.
Stretched-exponential relaxation arising from dispersive diffusion of hydrogen in amorphous silicon.
Kakalios J; Street RA; Jackson WB.
Phys Rev Lett ; 59(9): 1037-1040, 1987 Aug 31.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10035943
20.
Comment on "Structure and electronic states in disordered systems"
Street RA; Kakalios J.
Phys Rev Lett ; 58(23): 2504, 1987 Jun 08.
Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10034767
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