Nonequilibrium occupancy of tail states and defects in a-Si:H: Implications for defect structure. | Phys Rev B Condens Matter;48(19): 14198-14207, 1993 Nov 15. | MEDLINE

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Nonequilibrium occupancy of tail states and defects in a-Si:H: Implications for defect structure.

Schumm G; Jackson WB; Street RA.

Phys Rev B Condens Matter ; 48(19): 14198-14207, 1993 Nov 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-10007834

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1993 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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