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1.

Different Fermi-level pinning behavior on n- and p-type GaAs(001).

Pashley MD; Haberern KW; Feenstra RM; Kirchner PD.

Phys Rev B Condens Matter ; 48(7): 4612-4615, 1993 Aug 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10008943

2.

Ga-As intermixing in GaAs(001) reconstructions.

Falta J; Tromp RM; Copel M; Pettit GD; Kirchner PD.

Phys Rev B Condens Matter ; 48(8): 5282-5288, 1993 Aug 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10009046

3.

Falta et al. reply.

Falta J; Tromp RM; Copel M; Pettit GD; Kirchner PD.

Phys Rev Lett ; 70(20): 3173, 1993 May 17.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10053795

4.

Geometric ordering, surface chemistry, band bending, and work function at decapped GaAs(100) surfaces.

Vitomirov IM; Raisanen A; Finnefrock AC; Viturro RE; Brillson LJ; Kirchner PD; Pettit GD; Woodall JM.

Phys Rev B Condens Matter ; 46(20): 13293-13302, 1992 Nov 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10003372

5.

Structure and composition of GaAs(001) surfaces.

Falta J; Tromp RM; Copel M; Pettit GD; Kirchner PD.

Phys Rev Lett ; 69(21): 3068-3071, 1992 Nov 23.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10046717

6.

Role of excess As in low-temperature-grown GaAs.

Warren AC; Woodall JM; Kirchner PD; Yin X; Pollak F; Melloch MR; Otsuka N; Mahalingam K.

Phys Rev B Condens Matter ; 46(8): 4617-4620, 1992 Aug 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10004217

7.

Chemical and electronic properties of Al/

Chang S; Vitomirov IM; Brillson LJ; Mailhiot C; Rioux DF; Kime YJ; Kirchner PD; Pettit GD; Woodall JM.

Phys Rev B Condens Matter ; 45(23): 13438-13451, 1992 Jun 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10001430

8.

Direct determination of impact-ionization rates near threshold in semiconductors using soft-x-ray photoemission.

Eklund EA; Kirchner PD; Shuh DK; McFeely FR; Cartier E.

Phys Rev Lett ; 68(6): 831-834, 1992 Feb 10.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10046004

9.

Correlation of deep-level and chemically-active-site densities at vicinal GaAs(100)-Al interfaces.

Chang S; Vitomirov IM; Brillson LJ; Rioux DF; Kirchner PD; Pettit GD; Woodall JM.

Phys Rev B Condens Matter ; 44(3): 1391-1394, 1991 Jul 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9999662

10.

Erratum: Confirmation of the temperature-dependent photovoltaic effect on Fermi-level measurements by photoemission spectroscopy

Chang S; Vitomirov IM; Brillson LJ; Rioux DF; Kirchner PD; Pettit GD; Woodall JM; Hecht MH.

Phys Rev B Condens Matter ; 42(11): 7261, 1990 Oct 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9994860

11.

Confirmation of the temperature-dependent photovoltaic effect on Fermi-level measurements by photoemission spectroscopy.

Chang S; Vitomirov IM; Brillson LJ; Rioux DF; Kirchner PD; Pettit GD; Woodall JM; Hecht MH.

Phys Rev B Condens Matter ; 41(17): 12299-12302, 1990 Jun 15.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-9993693

12.

Orientation-dependent chemistry and Schottky-barrier formation at metal-GaAs interfaces.

Chang S; Brillson LJ; Kime YJ; Rioux DS; Kirchner PD; Pettit D; Woodall JM.

Phys Rev Lett ; 64(21): 2551-2554, 1990 May 21.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10041741

13.

Amorphization and conductivity of silicon and germanium induced by indentation.

Clarke DR; Kroll CM; Kirchner PD; Cook RF; Hockey BJ.

Phys Rev Lett ; 60(21): 2156-2159, 1988 May 23.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10038274

14.

Structure of GaAs(2 x 4)-c(2 x 8) determined by scanning tunneling microscopy.

Pashley MD; Haberern KW; Friday W; Woodall JM; Kirchner PD.

Phys Rev Lett ; 60(21): 2176-2179, 1988 May 23.

Artículo en Inglés | MEDLINE | ID: mdl-10038279

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