Optimization of the Anodization Processing for Aluminum Oxide Gate Dielectrics in ZnO Thin Film Transistors by Multivariate Analysis.

Gomes, Tiago C; Kumar, Dinesh; Fugikawa-Santos, Lucas; Alves, Neri; Kettle, Jeff

Gomes, Tiago C; Kumar, Dinesh; Fugikawa-Santos, Lucas; Alves, Neri; Kettle, Jeff.

Afiliação

Gomes TC; UNESP-São Paulo State University , School of Technology and Sciences , 19060-900 Presidente Prudente , Brazil.
Kumar D; School of Electronic Engineering , Bangor University , LL57 2DG Bangor , Gwynedd , Wales, U.K.
Fugikawa-Santos L; UNESP-São Paulo State University , Institute of Geosciences and Exact Sciences , 13506-900 Rio Claro , Brazil.
Alves N; UNESP-São Paulo State University , School of Technology and Sciences , 19060-900 Presidente Prudente , Brazil.
Kettle J; School of Electronic Engineering , Bangor University , LL57 2DG Bangor , Gwynedd , Wales, U.K.

ACS Comb Sci ; 21(5): 370-379, 2019 05 13.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30892872

Assuntos

Óxido de Alumínio/química; Transistores Eletrônicos; Óxido de Zinco/química; Técnicas de Química Combinatória; Técnicas Eletroquímicas; Eletrodos; Análise Multivariada

Palavras-chave

ANOVA; Plackett−Burman design; aluminum oxide; anodization; design of experiments; thin-film transistors

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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Assunto principal: Transistores Eletrônicos / Óxido de Zinco / Óxido de Alumínio Tipo de estudo: Prognostic_studies Idioma: En Revista: ACS Comb Sci Ano de publicação: 2019 Tipo de documento: Article País de afiliação: Brasil País de publicação: Estados Unidos

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