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Growth and Self-Assembly of Silicon⁻Silicon Carbide Nanoparticles into Hybrid Worm-Like Nanostructures at the Silicon Wafer Surface.
Perez-Guzman, Manuel Alejandro; Ortega-Amaya, Rebeca; Matsumoto, Yasuhiro; Espinoza-Rivas, Andres Mauricio; Morales-Corona, Juan; Santoyo-Salazar, Jaime; Ortega-Lopez, Mauricio.
Afiliação
  • Perez-Guzman MA; Programa de Doctorado en Nanociencias y Nanotecnología, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de México 07360, Mexico. maperez@cinvestav.mx.
  • Ortega-Amaya R; SEES, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de México 07360, Mexico. ortegaa@cinvestav.mx.
  • Matsumoto Y; SEES, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de México 07360, Mexico. ymatsumo@cinvestav.mx.
  • Espinoza-Rivas AM; Departamento de Ingeniería Eléctrica, Universidad Tecnológica de México-UNITEC MÉXICO-Campus Cuitláhuac, Norte 67 2346, Col. San Salvador Xochimanca, Ciudad de México 02870, Mexico. mauricio.inu@gmail.com.
  • Morales-Corona J; Departamento de Física, Universidad Autónoma Metropolitana, Unidad Iztapalapa, Av. San Rafael Atlixco 186, Col. Vicentina, Ciudad de México 09340, Mexico. jmor@xanum.uam.mx.
  • Santoyo-Salazar J; Departamento de Física, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de México 07360, Mexico. jsantoyo@fis.cinvestav.mx.
  • Ortega-Lopez M; SEES, Departamento de Ingeniería Eléctrica, Centro de Investigación y de Estudios Avanzados del IPN, Av. IPN 2508, Col. San Pedro Zacatenco, Ciudad de México 07360, Mexico. ortegal@cinvestav.mx.
Nanomaterials (Basel) ; 8(11)2018 Nov 20.
Article em En | MEDLINE | ID: mdl-30463292
This work describes the growth of silicon⁻silicon carbide nanoparticles (Si⁻SiC) and their self-assembly into worm-like 1D hybrid nanostructures at the interface of graphene oxide/silicon wafer (GO/Si) under Ar atmosphere at 1000 °C. Depending on GO film thickness, spread silicon nanoparticles apparently develop on GO layers, or GO-embedded Si⁻SiC nanoparticles self-assembled into some-micrometers-long worm-like nanowires. It was found that the nanoarrays show that carbon⁻silicon-based nanowires (CSNW) are standing on the Si wafer. It was assumed that Si nanoparticles originated from melted Si at the Si wafer surface and GO-induced nucleation. Additionally, a mechanism for the formation of CSNW is proposed.
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Texto completo: 1 Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Ano de publicação: 2018 Tipo de documento: Article País de afiliação: México País de publicação: Suíça
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