Quantum hall effect in n-p-n and n-2D topological insulator-n junctions.

Gusev, G M; Levin, A D; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A

Gusev, G M; Levin, A D; Kvon, Z D; Mikhailov, N N; Dvoretsky, S A.

Afiliação

Gusev GM; Instituto de Física da Universidade de São Paulo, 135960-170 São Paulo, SP, Brazil.
Levin AD; Instituto de Física da Universidade de São Paulo, 135960-170 São Paulo, SP, Brazil.
Kvon ZD; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia.
Mikhailov NN; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia.
Dvoretsky SA; Institute of Semiconductor Physics, Novosibirsk 630090, Russia.

Phys Rev Lett ; 110(7): 076805, 2013 Feb 15.

Article em En | MEDLINE | ID: mdl-25166393

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Coleções: 01-internacional Base de dados: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev Lett Ano de publicação: 2013 Tipo de documento: Article País de afiliação: Brasil País de publicação: Estados Unidos

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