Electronic Raman scattering in p-doped GaAs/Ga1-xAlxAs quantum-well structures: Scattering mechanisms and many-particle interactions. | Phys Rev B Condens Matter;50(24): 18387-18394, 1994 Dec 15. | MEDLINE

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Electronic Raman scattering in p-doped GaAs/Ga1-xAlxAs quantum-well structures: Scattering mechanisms and many-particle interactions.

Schüller C; Kraus J; Schaack G; Weimann G; Panzlaff K.

Phys Rev B Condens Matter ; 50(24): 18387-18394, 1994 Dec 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9976276

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1994 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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