Surfactant-mediated growth of Ge on Si(111). | Phys Rev B Condens Matter;50(15): 10811-10822, 1994 Oct 15. | MEDLINE

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Surfactant-mediated growth of Ge on Si(111).

Horn-von Hoegen M; Copel M; Tsang JC; Reuter MC; Tromp RM.

Phys Rev B Condens Matter ; 50(15): 10811-10822, 1994 Oct 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-9975182

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Rev B Condens Matter Año: 1994 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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