N-Channel MOSFET Reliability Issue Induced by Visible/Near-Infrared Photons in Image Sensors. | Sensors (Basel);23(23)2023 Dec 03. | MEDLINE

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N-Channel MOSFET Reliability Issue Induced by Visible/Near-Infrared Photons in Image Sensors.

Liu, Chun-Hsien; Lin, Sheng-Di.

Afiliación

Liu CH; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan.
Lin SD; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu 300, Taiwan.

Sensors (Basel) ; 23(23)2023 Dec 03.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-38067958

Palabras clave

CMOS image sensor; light-induced reliability; parasitic BJT action; single-photon avalanche diode (SPAD); transistor degradation

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Sensors (Basel) Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Suiza

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