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Demonstration of MOCVD-grown Ga2O3 power MOSFETs on sapphire with in-situ Si-doped by tetraethyl orthosilicate (TEOS).
Ngo, Sao Thien; Lu, Chan-Hung; Tarntair, Fu-Gow; Chung, Sheng-Ti; Wu, Tian-Li; Horng, Ray-Hua.
Afiliación
  • Ngo ST; International College of Semiconductor Technology, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan.
  • Lu CH; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan.
  • Tarntair FG; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan.
  • Chung ST; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan.
  • Wu TL; International College of Semiconductor Technology, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan. tlwu@nycu.edu.tw.
  • Horng RH; Institute of Electronics, National Yang Ming Chiao Tung University, Hsinchu, 30010, Taiwan. rayhua@nycu.edu.tw.
Discov Nano ; 18(1): 79, 2023 May 30.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37382742
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Discov Nano Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Suiza
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