Semiconductor Characterization by Terahertz Excitation Spectroscopy.

Krotkus, Arunas; Nevinskas, Ignas; Norkus, Ricardas

Krotkus, Arunas; Nevinskas, Ignas; Norkus, Ricardas.

Afiliación

Krotkus A; Centre for Physical Sciences and Technology, Sauletekio al. 3, 10257 Vilnius, Lithuania.
Nevinskas I; Centre for Physical Sciences and Technology, Sauletekio al. 3, 10257 Vilnius, Lithuania.
Norkus R; Centre for Physical Sciences and Technology, Sauletekio al. 3, 10257 Vilnius, Lithuania.

Materials (Basel) ; 16(7)2023 Apr 03.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-37049153

Palabras clave

THz emission; THz excitation spectroscopy; anisotropic photocurrent; ballistic electrons; band structure; bismuth layer; heterojunction offset; nanowires; subsidiary valleys; terahertz

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Lituania Pais de publicación: Suiza

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