Development of Low-Resistance Ohmic Contacts with Bilayer NiO/Al-Doped ZnO Thin Films to p-type GaN.

Slimani Tlemcani, Taoufik; Mauduit, Clément; Bah, Micka; Zhang, Meiling; Charles, Matthew; Gwoziecki, Romain; Yvon, Arnaud; Alquier, Daniel

Slimani Tlemcani, Taoufik; Mauduit, Clément; Bah, Micka; Zhang, Meiling; Charles, Matthew; Gwoziecki, Romain; Yvon, Arnaud; Alquier, Daniel.

Afiliación

Slimani Tlemcani T; GREMAN UMR 7347, Université de Tours, CNRS, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France.
Mauduit C; GREMAN UMR 7347, Université de Tours, CNRS, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France.
Bah M; STMicroelectronics Tours, 37071 Tours, France.
Zhang M; GREMAN UMR 7347, Université de Tours, CNRS, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France.
Charles M; GREMAN UMR 7347, Université de Tours, CNRS, INSA Centre Val de Loire, 37071 Tours, France.
Gwoziecki R; Université Grenoble Alpes, CEA, LETI, 38000 Grenoble, France.
Yvon A; Université Grenoble Alpes, CEA, LETI, 38000 Grenoble, France.
Alquier D; STMicroelectronics Tours, 37071 Tours, France.

ACS Appl Mater Interfaces ; 15(6): 8723-8729, 2023 Feb 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36732675

Palabras clave

Ni/AZO; Ohmic contacts; evaporation; p-type GaN; power diodes; specific contact resistance; sputtering

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Appl Mater Interfaces Asunto de la revista: BIOTECNOLOGIA / ENGENHARIA BIOMEDICA Año: 2023 Tipo del documento: Article País de afiliación: Francia Pais de publicación: Estados Unidos

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