Correction: Chen et al. New n-p Junction Floating Gate to Enhance the Operation Performance of a Semiconductor Memory Device. <i>Materials</i> 2022, <i>15</i>, 3640. | Materials (Basel);15(19)2022 Sep 28. | MEDLINE

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Correction: Chen et al. New n-p Junction Floating Gate to Enhance the Operation Performance of a Semiconductor Memory Device. Materials 2022, 15, 3640.

Chen, Yi-Yueh; Lin, Su-Jien; Chang, Shou-Yi.

Afiliación

Chen YY; Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan.
Lin SJ; Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan.
Chang SY; Department of Materials Science and Engineering, National Tsing Hua University, Hsinchu 30013, Taiwan.

Materials (Basel) ; 15(19)2022 Sep 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36234385

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Materials (Basel) Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Suiza

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