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Does carrier velocity saturation help to enhance f max in graphene field-effect transistors?
Feijoo, Pedro C; Pasadas, Francisco; Bonmann, Marlene; Asad, Muhammad; Yang, Xinxin; Generalov, Andrey; Vorobiev, Andrei; Banszerus, Luca; Stampfer, Christoph; Otto, Martin; Neumaier, Daniel; Stake, Jan; Jiménez, David.
Afiliación
  • Feijoo PC; Universitat Autònoma de Barcelona 08193 Cerdanyola del Vallès Spain PedroCarlos.Feijoo@uab.cat.
  • Pasadas F; Universitat Autònoma de Barcelona 08193 Cerdanyola del Vallès Spain PedroCarlos.Feijoo@uab.cat.
  • Bonmann M; Chalmers University of Technology SE-41296 Gothenburg Sweden.
  • Asad M; Chalmers University of Technology SE-41296 Gothenburg Sweden.
  • Yang X; Chalmers University of Technology SE-41296 Gothenburg Sweden.
  • Generalov A; Aalto University FI-00076 Helsinki Finland.
  • Vorobiev A; Chalmers University of Technology SE-41296 Gothenburg Sweden.
  • Banszerus L; 2nd Institute of Physics, RWTH Aachen University 52074 Aachen Germany.
  • Stampfer C; 2nd Institute of Physics, RWTH Aachen University 52074 Aachen Germany.
  • Otto M; Advanced Microelectronic Center Aachen, AMO GmbH 52074 Aachen Germany.
  • Neumaier D; Advanced Microelectronic Center Aachen, AMO GmbH 52074 Aachen Germany.
  • Stake J; Chalmers University of Technology SE-41296 Gothenburg Sweden.
  • Jiménez D; Universitat Autònoma de Barcelona 08193 Cerdanyola del Vallès Spain PedroCarlos.Feijoo@uab.cat.
Nanoscale Adv ; 2(9): 4179-4186, 2020 Sep 16.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36132766
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanoscale Adv Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido
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