Your browser doesn't support javascript.
loading
Enhanced Electrical Performance and Stability of Solution-Processed Thin-Film Transistors with In2O3/In2O3:Gd Heterojunction Channel Layer.
Li, Shasha; Zhang, Xinan; Zhang, Penglin; Song, Guoxiang; Yuan, Li.
Afiliación
  • Li S; College of Engineering Physics, Shenzhen Technology University, Shenzhen 518118, China.
  • Zhang X; School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng 475004, China.
  • Zhang P; College of Engineering Physics, Shenzhen Technology University, Shenzhen 518118, China.
  • Song G; School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng 475004, China.
  • Yuan L; School of Physics and Electronics, Henan University, Kaifeng 475004, China.
Nanomaterials (Basel) ; 12(16)2022 Aug 14.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-36014648
Palabras clave
Texto completo
Añadir a Mi BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: China Pais de publicación: Suiza
Texto completo
Añadir a Mi BVS
Imprimir
XML
PubMed Links
Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: China Pais de publicación: Suiza