First-principles study of the surface reactions of aminosilane precursors over WO<sub>3</sub>(001) during atomic layer deposition of SiO<sub>2</sub>. | RSC Adv;10(28): 16584-16592, 2020 Apr 23. | MEDLINE

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First-principles study of the surface reactions of aminosilane precursors over WO₃(001) during atomic layer deposition of SiO₂.

Lee, Kyungtae; Shim, Youngseon.

Afiliación

Lee K; CSE Team, Data & Information Technology (DIT) Center, Samsung Electronics Co. Ltd. 130 Samsung-ro Suwon Gyeonggi-do 16678 South Korea ys1231.shim@samsung.com.
Shim Y; CSE Team, Data & Information Technology (DIT) Center, Samsung Electronics Co. Ltd. 130 Samsung-ro Suwon Gyeonggi-do 16678 South Korea ys1231.shim@samsung.com.

RSC Adv ; 10(28): 16584-16592, 2020 Apr 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-35692616

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: RSC Adv Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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