Electronic Transport Properties in GaAs/AlGaAs and InSe/InP Finite Superlattices under the Effect of a Non-Resonant Intense Laser Field and Considering Geometric Modifications.

Gil-Corrales, John A; Morales, Alvaro L; Behiye Yücel, Melike; Kasapoglu, Esin; Duque, Carlos A

Gil-Corrales, John A; Morales, Alvaro L; Behiye Yücel, Melike; Kasapoglu, Esin; Duque, Carlos A.

Afiliación

Gil-Corrales JA; Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellín 050010, Colombia.
Morales AL; Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellín 050010, Colombia.
Behiye Yücel M; Department of Physics, Science Faculty, Akdeniz University, 07058 Antalya, Turkey.
Kasapoglu E; Department of Physics, Science Faculty, Sivas Cumhuriyet University, 58140 Sivas, Turkey.
Duque CA; Grupo de Materia Condensada-UdeA, Instituto de Física, Facultad de Ciencias Exactas y Naturales, Universidad de Antioquia UdeA, Calle 70 No. 52-21, Medellín 050010, Colombia.

Int J Mol Sci ; 23(9)2022 May 05.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-35563560

Asunto(s)

Arsenicales; Galio; Arsenicales/química; Electrónica; Galio/química; Rayos Láser

Palabras clave

GaAs/AlGaAsInSe/InP superlattice; Landauer formalism; intense laser field; transmission probability

Texto completo

Añadir a Mi BVS

Imprimir

XML

PubMed Links

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Arsenicales / Galio Idioma: En Revista: Int J Mol Sci Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: Colombia Pais de publicación: Suiza

Texto completo

Añadir a Mi BVS

Imprimir

XML

PubMed Links

Buscar en Google