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Control of Ni/ß-Ga2O3 Vertical Schottky Diode Output Parameters at Forward Bias by Insertion of a Graphene Layer.
Labed, Madani; Sengouga, Nouredine; Rim, You Seung.
Afiliación
  • Labed M; Laboratory of Semiconducting and Metallic Materials (LMSM), University of Biskra, Biskra 07000, Algeria.
  • Sengouga N; Laboratory of Semiconducting and Metallic Materials (LMSM), University of Biskra, Biskra 07000, Algeria.
  • Rim YS; Department of Intelligent Mechatronics Engineering and Convergence Engineering for Intelligent Drone, Sejong University, Seoul 05006, Korea.
Nanomaterials (Basel) ; 12(5)2022 Mar 01.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-35269314
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Año: 2022 Tipo del documento: Article País de afiliación: Argelia Pais de publicación: Suiza
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