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Improving Device Characteristics of Dual-Gate IGZO Thin-Film Transistors with Ar-O2 Mixed Plasma Treatment and Rapid Thermal Annealing.
Liu, Wei-Sheng; Hsu, Chih-Hao; Jiang, Yu; Lai, Yi-Chun; Kuo, Hsing-Chun.
Afiliación
  • Liu WS; Department of Electrical Engineering, Yuan Ze University, Chung-Li 320, Taiwan.
  • Hsu CH; Department of Electrical Engineering, Yuan Ze University, Chung-Li 320, Taiwan.
  • Jiang Y; Department of Electrical Engineering, Yuan Ze University, Chung-Li 320, Taiwan.
  • Lai YC; Department of Electrical Engineering, Yuan Ze University, Chung-Li 320, Taiwan.
  • Kuo HC; Department of Nursing, Division of Basic Medical Sciences, Chang Gung University of Science and Technology, Chiayi 613, Taiwan.
Membranes (Basel) ; 12(1)2021 Dec 30.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-35054574
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Membranes (Basel) Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Suiza
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