Development of GaN HEMTs Fabricated on Silicon, Silicon-on-Insulator, and Engineered Substrates and the Heterogeneous Integration.
Micromachines (Basel)
; 12(10)2021 Sep 27.
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| ID: mdl-34683210
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
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MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Micromachines (Basel)
Año:
2021
Tipo del documento:
Article
País de afiliación:
Taiwán
Pais de publicación:
Suiza