Maximum Achievable N Content in Atom-by-Atom Growth of Amorphous Si-B-C-N Materials. | Materials (Basel);14(19)2021 Oct 01. | MEDLINE

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Maximum Achievable N Content in Atom-by-Atom Growth of Amorphous Si-B-C-N Materials.

Houska, Jiri.

Afiliación

Houska J; Department of Physics and NTIS-European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, 30614 Plzen, Czech Republic.

Materials (Basel) ; 14(19)2021 Oct 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-34640138

Palabras clave

BNx; C3N4; CNx; N content; N2 formation; Si-B-C-N; Si-C-N; SiNx

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Materials (Basel) Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: República Checa Pais de publicación: Suiza

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