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Atomistic Insights on the Full Operation Cycle of a HfO2-Based Resistive Random Access Memory Cell from Molecular Dynamics.
Urquiza, M Laura; Islam, Md Mahbubul; van Duin, Adri C T; Cartoixà, Xavier; Strachan, Alejandro.
Afiliación
  • Urquiza ML; Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain.
  • Islam MM; Department of Mechanical Engineering, Wayne State University, Detroit, Michigan 48202, United States.
  • van Duin ACT; Department of Mechanical Engineering, Pennsylvania State University, 240 Research East Building, University Park, Pennsylvania 16802, United States.
  • Cartoixà X; Departament d'Enginyeria Electrònica, Universitat Autònoma de Barcelona, 08193 Bellaterra, Barcelona, Spain.
  • Strachan A; School of Materials Engineering, Purdue University, West Lafayette, Indiana 47907, United States.
ACS Nano ; 15(8): 12945-12954, 2021 Aug 24.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-34329560
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: España Pais de publicación: Estados Unidos
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