Reaction mechanism of atomic layer deposition of aluminum sulfide using trimethylaluminum and hydrogen sulfide. | Phys Chem Chem Phys;23(15): 9594-9603, 2021 Apr 22. | MEDLINE

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Reaction mechanism of atomic layer deposition of aluminum sulfide using trimethylaluminum and hydrogen sulfide.

Yu, Yanghong; Zhou, Zhongchao; Xu, Lina; Ding, Yihong; Fang, Guoyong.

Afiliación

Yu Y; College of Chemistry and Materials Engineering, Wenzhou University, Wenzhou 325035, China. xulina@wzu.edu.cn fanggy@wzu.edu.cn.

Phys Chem Chem Phys ; 23(15): 9594-9603, 2021 Apr 22.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33885104

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Phys Chem Chem Phys Asunto de la revista: BIOFISICA / QUIMICA Año: 2021 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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