Improving the yield of GaAs nanowires on silicon by Ga pre-deposition. | Nanotechnology;32(26)2021 Apr 06. | MEDLINE

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Improving the yield of GaAs nanowires on silicon by Ga pre-deposition.

Wilson, D P; Dubrovskii, V G; LaPierre, R R.

Afiliación

Wilson DP; Department of Engineering Physics, McMaster University, Hamilton, ON L8S4L7, Canada.
Dubrovskii VG; Faculty of Physics, St. Petersburg State University, Universitetskaya Embankment 13B, 199034, St. Petersburg, Russia.
LaPierre RR; Department of Engineering Physics, McMaster University, Hamilton, ON L8S4L7, Canada.

Nanotechnology ; 32(26)2021 Apr 06.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-33730697

Palabras clave

GaAs; molecular beam epitaxy; nanowire

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2021 Tipo del documento: Article País de afiliación: Canadá Pais de publicación: Reino Unido

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