Comparative studies on vertical-channel charge-trap memory thin-film transistors using In-Ga-Zn-O active channels deposited by sputtering and atomic layer depositions. | Nanotechnology;31(43): 435702, 2020 Oct 23. | MEDLINE

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Comparative studies on vertical-channel charge-trap memory thin-film transistors using In-Ga-Zn-O active channels deposited by sputtering and atomic layer depositions.

Kim, Hyeong-Rae; Kim, Gi-Heon; Seong, Nak-Jin; Choi, Kyu-Jeong; Kim, Sang-Kyun; Yoon, Sung-Min.

Afiliación

Kim HR; Department of Advanced Materials Engineering for Information and Electronics, Kyung Hee University, Yongin, Gyeonggi-do 17104, Republic of Korea.

Nanotechnology ; 31(43): 435702, 2020 Oct 23.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32647094

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2020 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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