Stoichiometric Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> topological insulator ultra-thin films obtained through a new fabrication process for optoelectronic applications. | Nanoscale;12(23): 12405-12415, 2020 Jun 21. | MEDLINE

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Stoichiometric Bi₂Se₃ topological insulator ultra-thin films obtained through a new fabrication process for optoelectronic applications.

Salvato, Matteo; Scagliotti, Mattia; De Crescenzi, Maurizio; Castrucci, Paola; De Matteis, Fabio; Crivellari, Michele; Pelli Cresi, Stefano; Catone, Daniele; Bauch, Thilo; Lombardi, Floriana.

Afiliación

Salvato M; Dipartimento di Fisica, Università di Roma "Tor Vergata", 00133 Roma, Italy. matteo.salvato@roma2.infn.it.

Nanoscale ; 12(23): 12405-12415, 2020 Jun 21.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32490504

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2020 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia Pais de publicación: Reino Unido

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