Oscillations of As Concentration and Electron-to-Hole Ratio in Si-Doped GaAs Nanowires. | Nanomaterials (Basel);10(5)2020 Apr 27. | MEDLINE

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Oscillations of As Concentration and Electron-to-Hole Ratio in Si-Doped GaAs Nanowires.

Dubrovskii, Vladimir G; Hijazi, Hadi.

Afiliación

Dubrovskii VG; Universitetskaya Embankment. 13B, Saint Petersburg State University, 199034 Saint Petersburg, Russia.
Hijazi H; Kronverkskiy prospekt 49, ITMO University, 197101 Saint Petersburg, Russia.

Nanomaterials (Basel) ; 10(5)2020 Apr 27.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-32349326

Palabras clave

GaAs nanowires; Si doping; electron-to-hole ratio; oscillations of as concentration; vaporliquidsolid growth

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanomaterials (Basel) Año: 2020 Tipo del documento: Article País de afiliación: Rusia Pais de publicación: Suiza

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