Controllable Epitaxial Growth of MoSe2 Bilayers with Different Stacking Orders by Reverse-Flow Chemical Vapor Deposition.
ACS Appl Mater Interfaces
; 12(20): 23347-23355, 2020 May 20.
Article
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| MEDLINE
| ID: mdl-32343546
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2020
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos