Enhancement of the Electrical Characteristics for 3D NAND Flash Memory Devices Due to a Modified Cell Structure in the Gate Region. | J Nanosci Nanotechnol;19(10): 6148-6151, 2019 10 01. | MEDLINE

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Enhancement of the Electrical Characteristics for 3D NAND Flash Memory Devices Due to a Modified Cell Structure in the Gate Region.

Lee, Yeon Gyu; Jung, Hyun Soo; Kim, Tae Whan.

Afiliación

Lee YG; Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea.
Jung HS; Department of Electronics and Computer Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea.
Kim TW; Department of Nanoscale Semiconductor Engineering, Hanyang University, Seoul 04763, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 19(10): 6148-6151, 2019 10 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-31026926

Asunto(s)

Electricidad

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Asunto principal: Electricidad Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2019 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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