Photoelectrochemical properties of a well-structured 1.3 nm-thick pn junction crystal. | Chem Commun (Camb);55(31): 4586-4588, 2019 Apr 11. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Photoelectrochemical properties of a well-structured 1.3 nm-thick pn junction crystal.

Awaya, Keisuke; Takashiba, Akihide; Taniguchi, Takaaki; Koinuma, Michio; Ishihara, Tatsumi; Ida, Shintaro.

Afiliación

Awaya K; Graduate School of Science and Technology Kumamoto University, 2-39-1, Kurokami Chuo-ku, Kumamoto 860-8555, Japan. ida-s@kumamoto-u.ac.jp.

Chem Commun (Camb) ; 55(31): 4586-4588, 2019 Apr 11.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30931454

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Chem Commun (Camb) Asunto de la revista: QUIMICA Año: 2019 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Reino Unido

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Chem Commun (Camb) Asunto de la revista: QUIMICA Año: 2019 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Reino Unido