Boosting Modulation of Oxide Semiconductors via Voltage-Based Ambi-Ionic Migration.
ACS Appl Mater Interfaces
; 10(43): 37216-37222, 2018 Oct 31.
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en En
| MEDLINE
| ID: mdl-30298732
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2018
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos