Effects of Etching Variations on Ge/Si Channel Formation and Device Performance. | Nanoscale Res Lett;13(1): 226, 2018 Jul 31. | MEDLINE

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Effects of Etching Variations on Ge/Si Channel Formation and Device Performance.

Chen, Jiann-Lin; Fuh, Yiin-Kuen; Chu, Chun-Lin.

Afiliación

Chen JL; Department of Mechanical and Automation Engineering, I-Shou University, Kaohsiung City, 840, Taiwan.
Fuh YK; Department of Mechanical Engineering, National Central University, Chung-li, 300, Taiwan.
Chu CL; National Nano Device Laboratories, Hsinchu, 300, Taiwan. jenlen.boy@msa.hinet.net.

Nanoscale Res Lett ; 13(1): 226, 2018 Jul 31.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-30066213

Palabras clave

Dry etching; Ge gate-all-around; High-defect; Numerical simulation

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Res Lett Año: 2018 Tipo del documento: Article País de afiliación: Taiwán Pais de publicación: Estados Unidos

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