GaN-based mid-power flip-chip light-emitting diode with high -3 dB bandwidth for visible light communications.
Appl Opt
; 57(11): 2773-2779, 2018 Apr 10.
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| ID: mdl-29714278
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Appl Opt
Año:
2018
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos