Electrical Characteristics of Ge/Si-Based Source Pocket Tunnel Field-Effect Transistors. | J Nanosci Nanotechnol;18(9): 5887-5892, 2018 09 01. | MEDLINE

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Electrical Characteristics of Ge/Si-Based Source Pocket Tunnel Field-Effect Transistors.

Ahn, Tea Jun; Yu, Yun Seop.

Afiliación

Ahn TJ; Department of Electrical, Electronic and Control Engineering and IITC, Hankyong National University, Anseong 17579, Korea.
Yu YS; Department of Electrical, Electronic and Control Engineering and IITC, Hankyong National University, Anseong 17579, Korea.

J Nanosci Nanotechnol ; 18(9): 5887-5892, 2018 09 01.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29677711

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2018 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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