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Control of Doping Level in Semiconductors via Self-Limited Grafting of Phosphorus End-Terminated Polymers.
Perego, Michele; Seguini, Gabriele; Arduca, Elisa; Nomellini, Andrea; Sparnacci, Katia; Antonioli, Diego; Gianotti, Valentina; Laus, Michele.
Afiliación
  • Perego M; Laboratorio MDM, IMM-CNR , Via C. Olivetti 2, I-20864 Agrate Brianza, Italy.
  • Seguini G; Laboratorio MDM, IMM-CNR , Via C. Olivetti 2, I-20864 Agrate Brianza, Italy.
  • Arduca E; Laboratorio MDM, IMM-CNR , Via C. Olivetti 2, I-20864 Agrate Brianza, Italy.
  • Nomellini A; Università degli Studi di Milano , Via G. Celoria 16, I-20133 Milano, Italy.
  • Sparnacci K; Università degli Studi di Milano , Via G. Celoria 16, I-20133 Milano, Italy.
  • Antonioli D; Università del Piemonte Orientale ''A. Avogadro'' , Viale T. Michel 11, I-15121 Alessandria, Italy.
  • Gianotti V; Università del Piemonte Orientale ''A. Avogadro'' , Viale T. Michel 11, I-15121 Alessandria, Italy.
  • Laus M; Università del Piemonte Orientale ''A. Avogadro'' , Viale T. Michel 11, I-15121 Alessandria, Italy.
ACS Nano ; 12(1): 178-186, 2018 01 23.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29202227
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: ACS Nano Año: 2018 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia Pais de publicación: Estados Unidos
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