Thermal transport in epitaxial Si<sub>1-x</sub> Ge <sub>x</sub> alloy nanowires with varying composition and morphology. | Nanotechnology;28(50): 505704, 2017 12 15. | MEDLINE

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Thermal transport in epitaxial Si_1-x Ge _x alloy nanowires with varying composition and morphology.

Sachat, A El; Reparaz, J S; Spiece, J; Alonso, M I; Goñi, A R; Garriga, M; Vaccaro, P O; Wagner, M R; Kolosov, O V; Sotomayor Torres, C M; Alzina, F.

Afiliación

Sachat AE; Catalan Institute of Nanoscience and Nanotechnology (ICN2), CSIC and BIST, Campus UAB, Bellaterra, E-08193 Barcelona, Spain. Department of Physics, Universitat Autònoma de Barcelona, Campus UAB, E-08193 Bellaterra (Barcelona), Spain.

Nanotechnology ; 28(50): 505704, 2017 12 15.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29160238

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: España Pais de publicación: Reino Unido

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