Solution-Processed Metal-Oxide p-n Charge Generation Junction for High-Performance Inverted Quantum-Dot Light-Emitting Diodes.
ACS Appl Mater Interfaces
; 9(44): 38678-38686, 2017 Nov 08.
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| ID: mdl-29043766
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2017
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos