Optical switching of defect charge states in 4H-SiC. | Sci Rep;7(1): 13406, 2017 10 17. | MEDLINE

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Optical switching of defect charge states in 4H-SiC.

Golter, D A; Lai, C W.

Afiliación

Golter DA; US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd, Adelphi, MD, 20783, USA.
Lai CW; US Army Research Laboratory, 2800 Powder Mill Rd, Adelphi, MD, 20783, USA. chihwei.lai.civ@mail.mil.

Sci Rep ; 7(1): 13406, 2017 10 17.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-29042675

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Sci Rep Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Estados Unidos Pais de publicación: Reino Unido

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