The current limit and self-rectification functionalities in the TiO<sub>2</sub>/HfO<sub>2</sub> resistive switching material system. | Nanoscale;9(33): 11920-11928, 2017 Aug 24. | MEDLINE

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The current limit and self-rectification functionalities in the TiO₂/HfO₂ resistive switching material system.

Yoon, Jung Ho; Kwon, Dae Eun; Kim, Yumin; Kwon, Young Jae; Yoon, Kyung Jean; Park, Tae Hyung; Shao, Xing Long; Hwang, Cheol Seong.

Afiliación

Yoon JH; Department of Materials Science and Engineering and Inter-University Semiconductor Research Center, Seoul National University, Seoul 151-744, Republic of Korea. cheolsh@snu.ac.kr.

Nanoscale ; 9(33): 11920-11928, 2017 Aug 24.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28786468

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2017 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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