Carrier transport and emission efficiency in InGaN quantum-dot based light-emitting diodes.

Barettin, Daniele; Auf der Maur, Matthias; di Carlo, Aldo; Pecchia, Alessandro; Tsatsulnikov, Andrei F; Lundin, Wsevolod V; Sakharov, Alexei V; Nikolaev, Andrei E; Korytov, Maxim; Cherkashin, Nikolay; Hÿtch, Martin J; Karpov, Sergey Yu

Barettin, Daniele; Auf der Maur, Matthias; di Carlo, Aldo; Pecchia, Alessandro; Tsatsulnikov, Andrei F; Lundin, Wsevolod V; Sakharov, Alexei V; Nikolaev, Andrei E; Korytov, Maxim; Cherkashin, Nikolay; Hÿtch, Martin J; Karpov, Sergey Yu.

Afiliación

Barettin D; UNICUSANO, Università degli Studi Niccolò Cusano-Telematica Rome, Italy. Department of Electronic Engineering, University of Rome 'Tor Vergata', Via del Politecnico 1, I-00133, Rome, Italy.

Nanotechnology ; 28(27): 275201, 2017 Jul 07.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28612754

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Prognostic_studies Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Italia Pais de publicación: Reino Unido

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