Single layer of Ge quantum dots in HfO<sub>2</sub> for floating gate memory capacitors. | Nanotechnology;28(17): 175707, 2017 Apr 28. | MEDLINE

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Single layer of Ge quantum dots in HfO₂ for floating gate memory capacitors.

Lepadatu, A M; Palade, C; Slav, A; Maraloiu, A V; Lazanu, S; Stoica, T; Logofatu, C; Teodorescu, V S; Ciurea, M L.

Afiliación

Lepadatu AM; National Institute of Materials Physics, 405A Atomistilor Street, 077125 Magurele, Romania.

Nanotechnology ; 28(17): 175707, 2017 Apr 28.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-28291015

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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2017 Tipo del documento: Article País de afiliación: Rumanía Pais de publicación: Reino Unido

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