Gate-dependent asymmetric transport characteristics in pentacene barristors with graphene electrodes.

Hwang, Wang-Taek; Min, Misook; Jeong, Hyunhak; Kim, Dongku; Jang, Jingon; Yoo, Daekyung; Jang, Yeonsik; Kim, Jun-Woo; Yoon, Jiyoung; Chung, Seungjun; Yi, Gyu-Chul; Lee, Hyoyoung; Wang, Gunuk; Lee, Takhee

Hwang, Wang-Taek; Min, Misook; Jeong, Hyunhak; Kim, Dongku; Jang, Jingon; Yoo, Daekyung; Jang, Yeonsik; Kim, Jun-Woo; Yoon, Jiyoung; Chung, Seungjun; Yi, Gyu-Chul; Lee, Hyoyoung; Wang, Gunuk; Lee, Takhee.

Afiliación

Hwang WT; Department of Physics and Astronomy and Institute of Applied Physics, Seoul National University, Seoul 08826, Korea.

Nanotechnology ; 27(47): 475201, 2016 Nov 25.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-27767016

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: Nanotechnology Año: 2016 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Reino Unido

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