Effect of Al2O3 Deposition on Performance of Top-Gated Monolayer MoS2-Based Field Effect Transistor.
ACS Appl Mater Interfaces
; 8(41): 28130-28135, 2016 Oct 19.
Article
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| MEDLINE
| ID: mdl-27681666
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
ACS Appl Mater Interfaces
Asunto de la revista:
BIOTECNOLOGIA
/
ENGENHARIA BIOMEDICA
Año:
2016
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos