Asymmetrically contacted germanium photodiode using a metal-interlayer-semiconductor-metal structure for extremely large dark current suppression.
Opt Lett
; 41(16): 3686-9, 2016 Aug 15.
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| ID: mdl-27519063
Texto completo:
1
Colección:
01-internacional
Base de datos:
MEDLINE
Idioma:
En
Revista:
Opt Lett
Año:
2016
Tipo del documento:
Article
Pais de publicación:
Estados Unidos