GaN Epitaxial Layer Grown with Conductive Al(x)Ga(1-x)N Buffer Layer on SiC Substrate Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition. | J Nanosci Nanotechnol;16(5): 4914-8, 2016 May. | MEDLINE

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GaN Epitaxial Layer Grown with Conductive Al(x)Ga(1-x)N Buffer Layer on SiC Substrate Using Metal Organic Chemical Vapor Deposition.

So, Byeongchan; Lee, Kyungbae; Lee, Kyungjae; Heo, Cheon; Pyeon, Jaedo; Ko, Kwangse; Jang, Jongjin; Nam, Okhyun.

J Nanosci Nanotechnol ; 16(5): 4914-8, 2016 May.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-27483845

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Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Nanosci Nanotechnol Año: 2016 Tipo del documento: Article Pais de publicación: Estados Unidos

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