Microstructural transitions in resistive random access memory composed of molybdenum oxide with copper during switching cycles. | Nanoscale;8(31): 14754-66, 2016 Aug 21. | MEDLINE

Contenido principal 1 Búsqueda 2 Pie de página 3

+A A -A Alto contraste

Portal Regional de la BVS

Información y Conocimiento para la Salud

Localizar descriptor de asunto Búsqueda Avanzada EVID@Easy

Microstructural transitions in resistive random access memory composed of molybdenum oxide with copper during switching cycles.

Arita, Masashi; Ohno, Yuuki; Murakami, Yosuke; Takamizawa, Keisuke; Tsurumaki-Fukuchi, Atsushi; Takahashi, Yasuo.

Afiliación

Arita M; Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University, Sapporo 060-0814, Japan. arita@nano.ist.hokudai.ac.jp.

Nanoscale ; 8(31): 14754-66, 2016 Aug 21.

Article en En | MEDLINE | ID: mdl-27456192

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2016 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Reino Unido

Añadir a Mi BVS

Buscar en Google

Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Tipo de estudio: Clinical_trials Idioma: En Revista: Nanoscale Año: 2016 Tipo del documento: Article País de afiliación: Japón Pais de publicación: Reino Unido