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ZnO gap engineering by doping with III-V compounds.
Andriotis, A N; Menon, M.
Afiliación
  • Andriotis AN; Institute of Electronic Structure and Laser, FORTH, 71110 Heraklio, Crete, Greece.
J Phys Condens Matter ; 28(3): 035803, 2016 Jan 27.
Article en En | MEDLINE | ID: mdl-26733358
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Texto completo: 1 Colección: 01-internacional Base de datos: MEDLINE Idioma: En Revista: J Phys Condens Matter Asunto de la revista: BIOFISICA Año: 2016 Tipo del documento: Article País de afiliación: Grecia Pais de publicación: Reino Unido
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